Il sistema di deposizione chimica da vapore potenziato al plasma supporta wafer di dimensioni fino a 6 pollici, come confermato da numerose referenze.Questa dimensione standard soddisfa diverse esigenze di deposizione di film sottili, bilanciando l'efficienza del processo e la scalabilità delle apparecchiature.Il design del sistema, compreso l'elettrodo inferiore riscaldato da 205 mm, si allinea a questa capacità del wafer, consentendo rivestimenti uniformi per applicazioni di semiconduttori, ottiche e film barriera.
Punti chiave spiegati:
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Dimensione massima del wafer supportata
- Il sistema gestisce wafer fino a 150 mm (6 pollici) di diametro di diametro, una dimensione comune per la ricerca e la produzione su scala pilota.
- Questa capacità è esplicitamente indicata in tre riferimenti indipendenti, a garanzia dell'affidabilità.
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Compatibilità del design delle apparecchiature
- L'elettrodo elettrodo inferiore da 205 mm (più grande del wafer da 6 pollici) assicura una distribuzione uniforme del plasma e il controllo della temperatura durante la deposizione.
- A porta di pompaggio da 160 mm mantiene condizioni di vuoto costanti, fondamentali per una qualità uniforme del film.
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Vantaggi del processo per wafer da 6 polliciwafer
- La deposizione a bassa temperatura (abilitata da PECVD) evita lo stress termico sui wafer più grandi.
- Il software di rampa dei parametri consente un controllo preciso delle proprietà del film sull'intera superficie del wafer.
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Applicazioni tipiche
- Semiconduttori:Deposizione di strati isolanti a base di silicio.
- Imballaggio:Film barriera ai gas per alimenti/farmaceutici (ad esempio, protezione dall'ossigeno/umidità).
- Ottica/rivestimenti:Carbonio simile al diamante (DLC) per la resistenza all'usura.
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Considerazioni sulla scalabilità
- Sebbene i 6 pollici siano il valore massimo indicato, anche wafer più piccoli (ad esempio, 4 pollici) possono essere lavorati con lo stesso sistema.
- La pod a 12 linee di gas supporta diversi gas precursori per film personalizzati senza modifiche hardware.
Per la produzione di grandi volumi, gli utenti devono verificare se sono disponibili sistemi più grandi (ad esempio, 8 o 12 pollici), poiché questo modello si concentra sulla versatilità per le esigenze di media scala.La combinazione di elettrodi riscaldati, controllo del gas e uniformità del plasma lo rende ideale per la prototipazione o per rivestimenti specializzati.
Tabella riassuntiva:
| Caratteristica | Specifiche |
|---|---|
| Dimensione massima del wafer | 6 pollici (150 mm) |
| Dimensioni dell'elettrodo inferiore | 205 mm (garantisce una distribuzione uniforme del plasma) |
| Porta di pompaggio | 160 mm (mantiene la stabilità del vuoto) |
| Applicazioni principali | Semiconduttori, film barriera, rivestimenti ottici (ad es. DLC) |
| Scalabilità | Compatibile con wafer più piccoli (ad esempio, 4 pollici) e con diversi gas precursori |
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