Conoscenza Come il sistema PECVD gestisce gli strati di passivazione nelle celle solari PERC?Aumentare l'efficienza con la deposizione di precisione al plasma
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Squadra tecnologica · Kintek Furnace

Aggiornato 2 giorni fa

Come il sistema PECVD gestisce gli strati di passivazione nelle celle solari PERC?Aumentare l'efficienza con la deposizione di precisione al plasma

Il sistema PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) svolge un ruolo fondamentale nel deposito degli strati di passivazione per le celle solari PERC (Passivated Emitter and Rear Cell).Questi strati aumentano l'efficienza della cella riducendo le perdite per ricombinazione e migliorando l'assorbimento della luce.Il sistema deposita strati di ossido di alluminio (AlOx) e nitruro di silicio (SiNx:H) rispettivamente sul lato posteriore e su quello anteriore, in un'unica configurazione.L'attivazione del plasma consente una lavorazione a bassa temperatura, garantendo proprietà uniformi del film e un'elevata purezza.Questo rende la PECVD indispensabile per la moderna produzione di celle solari, combinando flessibilità, precisione e scalabilità.

Punti chiave spiegati:

  1. Ruolo della PECVD nelle celle solari PERC

    • La PECVD viene utilizzata per depositare strati di passivazione dielettrica su entrambi i lati delle celle solari PERC.
    • Il lato posteriore presenta un sottile strato di AlOx ricoperto da SiNx:H, mentre il lato anteriore utilizza SiNx:H per la passivazione e il rivestimento antiriflesso (ARC).
    • Questi strati riducono al minimo la ricombinazione elettrone-buco e migliorano la cattura della luce, aumentando l'efficienza.
  2. Materiali chiave e loro funzioni

    • Ossido di alluminio (AlOx):Fornisce un'eccellente passivazione superficiale grazie alla sua elevata carica fissa negativa, riducendo la ricombinazione sul lato posteriore.
    • Nitruro di silicio (SiNx:H):Agisce come fonte di idrogeno per la passivazione dei difetti e serve come ARC per ridurre le perdite di riflessione.
    • Il sistema di deposizione chimica da vapore potenziato al plasma consente la deposizione sequenziale di entrambi i materiali in un'unica camera, migliorando la produttività.
  3. Vantaggi della PECVD rispetto alla CVD convenzionale

    • Trattamento a temperatura più bassa:L'attivazione del plasma consente la deposizione a temperature ridotte (spesso inferiori a 400°C), fondamentali per i substrati sensibili al calore.
    • Tassi di deposizione migliorati:Gli elettroni energetici del plasma accelerano le reazioni chimiche, consentendo una crescita più rapida del film.
    • Uniformità e purezza:Il design proprietario del reattore garantisce una distribuzione uniforme del gas e impurità minime, fondamentali per le celle solari ad alte prestazioni.
  4. Meccanismo di attivazione del plasma

    • Il plasma viene generato tramite una scarica a radiofrequenza, CA o CC, che ionizza le molecole di gas per creare specie reattive.
    • Questa energia guida le reazioni di deposizione senza affidarsi esclusivamente al riscaldamento del substrato, preservando l'integrità del materiale.
  5. Flessibilità e scalabilità del sistema

    • La PECVD può trattare diversi materiali (ossidi, nitruri, polimeri), rendendola adattabile a varie architetture di celle solari.
    • Il suo design modulare supporta la produzione su larga scala, allineandosi alle richieste industriali di produzione solare ad alta produttività.
  6. Confronto con altre tecniche

    • A differenza della CVD termica, la PECVD evita la degradazione ad alta temperatura, come la distillazione sotto vuoto protegge i composti sensibili al calore.
    • La precisione del processo supera lo sputtering o l'evaporazione, garantendo densità e adesione ottimali del film.

Integrando queste caratteristiche, i sistemi PECVD affrontano le sfide principali della produzione di celle solari PERC: efficienza, costi e scalabilità.Avete pensato a come i progressi della tecnologia al plasma potrebbero perfezionare ulteriormente questi strati di passivazione?Queste innovazioni continuano a plasmare il futuro delle energie rinnovabili.

Tabella riassuntiva:

Aspetto Dettagli
Materiali chiave AlOx (passivazione posteriore), SiNx:H (passivazione anteriore e ARC)
Vantaggi del plasma Trattamento a bassa temperatura (<400°C), film uniformi, elevata purezza
Flessibilità del sistema Deposizione sequenziale a camera singola, scalabile per la produzione industriale
Impatto sulle prestazioni Riduce le perdite per ricombinazione, migliora la cattura della luce e aumenta l'efficienza della cella

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