Conoscenza Quali sono le specifiche del sistema di vuoto nelle apparecchiature PECVD?Caratteristiche principali per una deposizione di alta qualità
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Squadra tecnologica · Kintek Furnace

Aggiornato 4 giorni fa

Quali sono le specifiche del sistema di vuoto nelle apparecchiature PECVD?Caratteristiche principali per una deposizione di alta qualità

Il sistema di vuoto nelle apparecchiature PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) è fondamentale per mantenere l'ambiente a bassa pressione necessario per la deposizione di film sottili.Le specifiche principali includono una porta di aspirazione KF40 e una porta di scarico da G1 pollici, con velocità di scarico di 60L/s per l'azoto e 55L/s con una rete di protezione.Il sistema utilizza cuscinetti in ceramica con lubrificazione a grasso, raffreddamento ad aria forzata e funziona a 69.000 giri/min.È dotato di un controllore di pompa molecolare TC75 e di una pompa per vuoto rotativa a palette a due stadi con velocità di scarico di 160L/min.I rapporti di compressione sono 2x10^7 per N2 e 3x10^3 per H2, con una contropressione massima consentita di 800Pa e una durata dei cuscinetti di 20.000 ore.I tempi di avvio e arresto sono rispettivamente di 1,5-2 minuti e 15-25 minuti.Queste specifiche garantiscono un funzionamento efficiente e stabile, fondamentale per la deposizione di film di alta qualità in applicazioni come la produzione di semiconduttori e i rivestimenti ottici.

Punti chiave spiegati:

  1. Configurazioni delle porte e velocità di scarico

    • Attacco di aspirazione KF40 e attacco di scarico da G1 pollici:Le connessioni standardizzate garantiscono la compatibilità con altri componenti del vuoto.
    • Velocità di scarico 60L/s per l'azoto (55L/s con rete di protezione) indica un'elevata efficienza di pompaggio, fondamentale per mantenere condizioni di bassa pressione durante la deposizione.
  2. Dettagli meccanici e operativi

    • Cuscinetti in ceramica con lubrificazione a grasso:Migliorano la durata e riducono l'attrito alle alte velocità (69.000 giri/min).
    • Raffreddamento ad aria forzata:Impedisce il surriscaldamento durante il funzionamento prolungato.
    • Tempi di avvio/arresto:1,5-2 minuti (avvio) e 15-25 minuti (arresto) riflettono la reattività del sistema e i protocolli di sicurezza.
  3. Metriche di prestazione

    • Rapporti di compressione 2x10^7 per l'N2 e 3x10^3 per l'H2 garantiscono una gestione efficace del gas in diverse condizioni di processo.
    • Contropressione massima Il limite di 800Pa salvaguarda il sistema da danni da sovrapressione.
    • Durata del cuscinetto: 20.000 ore indica un'affidabilità a lungo termine, riducendo i costi di manutenzione.
  4. Componenti integrati

    • Controllore della pompa molecolare TC75:Fornisce un controllo preciso dei livelli di vuoto.
    • Pompa rotativa a palette a due stadi (160L/min):Funziona in tandem con la pompa molecolare per un'efficiente evacuazione del gas.
  5. Contesto del sistema più ampio

    • Apparecchiature PECVD, tra cui macchina mpcvd Spesso integra questi sistemi da vuoto con reattori a radiofrequenza (ad esempio, a piastre parallele o induttivi) per una generazione uniforme del plasma.
    • Caratteristiche come la pulizia del plasma in situ e gli stadi per wafer a temperatura controllata (20°C-1200°C) completano il ruolo del sistema da vuoto nell'ottenere una deposizione di elevata purezza.
  6. Considerazioni sulle applicazioni

    • Le specifiche del sistema di vuoto hanno un impatto diretto sulla qualità del film in applicazioni quali celle solari, MEMS e rivestimenti barriera.Ad esempio, le basse temperature di formazione del film (<400°C) consentono la deposizione su substrati sensibili al calore.
  7. Manutenzione e longevità

    • Il monitoraggio regolare della durata dei cuscinetti e delle soglie di contropressione garantisce prestazioni durature, in linea con gli standard industriali per gli strumenti di produzione di semiconduttori.

Comprendendo queste specifiche, gli acquirenti possono valutare la compatibilità con i loro requisiti di processo, bilanciando velocità, precisione e durata operativa.L'integrazione di sistemi di vuoto robusti con reattori PECVD avanzati è un esempio di tecnologie che plasmano tranquillamente la microelettronica e la nanotecnologia moderne.

Tabella riassuntiva:

Specifiche Dettagli
Configurazioni delle porte Attacco di aspirazione KF40, attacco di scarico da G1 pollici
Velocità di scarico 60L/s (N₂), 55L/s (con rete di protezione)
Cuscinetti e raffreddamento Cuscinetti in ceramica (lubrificazione a grasso), raffreddamento ad aria forzata, 69.000 giri/min.
Rapporti di compressione 2×10⁷ (N₂), 3×10³ (H₂)
Massima contropressione 800Pa
Durata del cuscinetto 20.000 ore
Tempi di avvio/arresto 1,5-2 min (avvio), 15-25 min (arresto)
Componenti integrati Controllore della pompa molecolare TC75, pompa rotativa a palette a due stadi (160L/min)

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